反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究

为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构,研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板,以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜(LSCM)及原子力显微镜(AFM)对光刻和刻蚀图形的表面形貌进行了观察,获得了工艺参数对光刻胶掩膜图形和刻蚀图形的影响规律;在最优工艺参数条件下,所制紫外纳米压印模板整齐、规则,并利用紫外可见近红外光谱仪对其紫外透过率进行了表征,反应离子刻蚀后石英模板的透过率在365 nm处仍大于90%。

航空科学基金项目(2008ZE53043)资助;

光刻; 反应离子刻蚀; 刻蚀速率; 亚波长结构; 紫外纳米压印;

10.13433/j.cnki.1003-8728.2012.11.011

TN305.7

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